Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958- Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск.— 2014.— Р. 62-65
Körperschaften:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)
Weitere Verfasser:	Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Gorina S. G., Lazarev S. V., Lopatin V. V. Vladimir Vasilyevich
Zusammenfassung:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2014
Schlagworte:	труды учёных ТПУ
Format:	MixedMaterials Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=602052

Ähnliche Einträge