APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН), Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Gorina S. G., Lazarev S. V., & Lopatin V. V. Vladimir Vasilyevich. (2014). Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers. 2014.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН), Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich, Gorina S. G., Lazarev S. V., and Lopatin V. V. Vladimir Vasilyevich. Effect of Dislocation Density on Exciton Luminescence Intensity of GaN Epitaxial Layers. 2014, 2014.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ), et al. Effect of Dislocation Density on Exciton Luminescence Intensity of GaN Epitaxial Layers. 2014, 2014.