Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния

Bibliographische Detailangaben
Parent link:7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике: тезисы докладов, Томск, 4-6 мая 1988/ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; Симпозиум по сильноточной электронике.— , 1988
Ч. 3.— 1988.— С. 242-243
Weitere Verfasser: Ардышев В. М., Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Пешев В. В., Притулов А. М. Александр Михайлович, Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Zusammenfassung:Приведены результаты исследования возможности низкотемпературного "электронного отжига", имплантированного ионами кремния, GaAs при использовании мощных импульсных электронных пучков с энергией электронов выше пороговой энергии образования радиационных дефектов в GaAs. Отмечено, что при воздействии на GaAs электронным пучком с энергией электронов 2 МэВ т-ра, при к-рой происходит эл. активация внедренной примеси, существенно понижается
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 1988
Schlagworte:
труды учёных ТПУ
Format: Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598641

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge