Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
| Parent link: | 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике: тезисы докладов, Томск, 4-6 мая 1988/ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; Симпозиум по сильноточной электронике.— , 1988 Ч. 3.— 1988.— С. 242-243 |
|---|---|
| Diğer Yazarlar: | , , , , |
| Özet: | Приведены результаты исследования возможности низкотемпературного "электронного отжига", имплантированного ионами кремния, GaAs при использовании мощных импульсных электронных пучков с энергией электронов выше пороговой энергии образования радиационных дефектов в GaAs. Отмечено, что при воздействии на GaAs электронным пучком с энергией электронов 2 МэВ т-ра, при к-рой происходит эл. активация внедренной примеси, существенно понижается В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Dil: | Rusça |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
1988
|
| Konular: | |
| Materyal Türü: | Kitap Bölümü |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598641 |