Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
| Parent link: | 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике: тезисы докладов, Томск, 4-6 мая 1988/ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; Симпозиум по сильноточной электронике.— , 1988 Ч. 3.— 1988.— С. 242-243 |
|---|---|
| Altres autors: | , , , , |
| Sumari: | Приведены результаты исследования возможности низкотемпературного "электронного отжига", имплантированного ионами кремния, GaAs при использовании мощных импульсных электронных пучков с энергией электронов выше пороговой энергии образования радиационных дефектов в GaAs. Отмечено, что при воздействии на GaAs электронным пучком с энергией электронов 2 МэВ т-ра, при к-рой происходит эл. активация внедренной примеси, существенно понижается В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
1988
|
| Matèries: | |
| Format: | MixedMaterials Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598641 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 598641 | ||
| 005 | 20250326173148.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\22332 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\22331 | ||
| 090 | |a 598641 | ||
| 100 | |a 20121221d1988 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния |f В. М. Ардышев [и др.] | |
| 320 | |a Библиогр.: 4 назв. | ||
| 330 | |a Приведены результаты исследования возможности низкотемпературного "электронного отжига", имплантированного ионами кремния, GaAs при использовании мощных импульсных электронных пучков с энергией электронов выше пороговой энергии образования радиационных дефектов в GaAs. Отмечено, что при воздействии на GaAs электронным пучком с энергией электронов 2 МэВ т-ра, при к-рой происходит эл. активация внедренной примеси, существенно понижается | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 461 | |t 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике |o тезисы докладов, Томск, 4-6 мая 1988 |f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт сильноточной электроники (ИСЭ) ; Симпозиум по сильноточной электронике |d 1988 | ||
| 463 | |t Ч. 3 |v С. 242-243 |d 1988 | ||
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Ардышев |b В. М. | |
| 701 | 1 | |a Мамонтов |b А. П. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |c Заслуженный изобретатель РФ |f 1934- |g Аркадий Павлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984 |9 9295 | |
| 701 | 1 | |a Пешев |b В. В. | |
| 701 | 1 | |a Притулов |b А. М. |c российский учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета |g Александр Михайлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28169 | |
| 701 | 1 | |a Суржиков |b А. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1951- |g Анатолий Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010 |9 9307 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20121206 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20121221 |g RCR | |
| 942 | |c BK | ||