Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation; Radiation effects express; Vol. 1, iss. 6

Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation

書誌詳細
Parent link:	Radiation effects express.— , 1987-1989 Vol. 1, iss. 6.— 1988.— P. 259-262
その他の著者:	Kuznetsov P. V., Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich, Sokhoreva V. V., Vorobiev S. A.
要約:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
言語:	英語
出版事項:	1988
主題:	труды учёных ТПУ
フォーマット:	図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598357

類似資料

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
出版事項: (2011)

Stabilization of positrons in imperfect ionic crystals; Russian Physics Journal; Vol. 22, iss. 4
出版事項: (1979)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
出版事項: (1976)

Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12
出版事項: (2014)

Influence of high temperature annealing on positron annihilation in electro-irradiated silicon; Physica status solidi (a); Vol. 47, Iss. 2
著者:: Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich
出版事項: (1978)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
著者:: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
出版事項: (2015)

Erosion of the GaAs target under irradiation by a high-power pulsed ion beam; Russian Physics Journal; Vol. 50, iss. 1
出版事項: (2007)

Registration of Short Impulses of X-Ray Radiation Using the Detecting Block Based on GaAs Detectors; IEEE International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2007), Russia, Tomsk, April 20-21, 2007
出版事項: (2007)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
出版事項: (2004)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
著者:: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
出版事項: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
著者:: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
出版事項: (2015)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
著者:: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Gas medium effect on electrophysical properties of alumina irradiated with titanium ions; KORUS 2005
著者:: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版事項: (2005)

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
出版事項: (Amsterdam, Elsevier, 2013)

Imperfect Inventory Systems Inventory and Production Management /
著者:: Taleizadeh, Ata Allah
出版事項: (2021)

Managerial Discretion in Imperfect Markets
著者:: Ramamohan Rao, T. V. S.
出版事項: (2023)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2004)

Imperfect Duties of Management The Ethical Norm of Managerial Decisions /
著者:: Robinson, Richard M.
出版事項: (2019)

F-center annealing by positron irradiation; Physics Letters A; Vol. 44, iss. 6
著者:: Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich
出版事項: (1973)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
著者:: Yudelevich I. G.
出版事項: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)

Stochastic Imperfect Inventory Systems Inventory and Production Management /
著者:: Taleizadeh, Ata Allah
出版事項: (2025)

Physical, Mechanical, and Electrophysical Properties of Porous Glass Composite with Silicon Carbide Additives; Glass and Ceramics; Vol. 78, iss. 3-4
出版事項: (2021)

The improvement the signal timing characteristics of the MCP detector; Перспективы развития фундаментальных наук
著者:: Nazarenko S. Yu.
出版事項: (2013)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
著者:: Упеникова А. О. Анна Олеговна
出版事項: (2012)

Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12/3 : Радиационная физика и химия = Radiation physics and chemistry : тематический выпуск
出版事項: (2014)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
著者:: Peshev V. V.
出版事項: (2007)

Positron annihilation in silicon crystals with mechanically processed surfaces; Applied Physics A: Materials Science and Processing; Vol. 8, № 3
著者:: Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich
出版事項: (1975)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
著者:: Арефьев К. П. Константин Петрович
出版事項: (1983)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
著者:: Тяжлов В. С.
出版事項: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
著者:: Тихов С. В.
出版事項: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
著者:: Дорохин М. В.
出版事項: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
出版事項: (2004)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
出版事項: (2006)

National Identities and Imperfections in Contemporary Irish Literature Unbecoming Irishness /
出版事項: (2017)

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
著者:: Демарина Н. В.
出版事項: (2002)

The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
出版事項: (2016)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
出版事項: (1979)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 8/2 (приложение)
出版事項: (2009)