Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation; Radiation effects express; Vol. 1, iss. 6

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Radiation effects express.— , 1987-1989 Vol. 1, iss. 6.— 1988.— P. 259-262
مؤلفون آخرون:	Kuznetsov P. V., Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich, Sokhoreva V. V., Vorobiev S. A.
الملخص:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует
اللغة:	الإنجليزية
منشور في:	1988
الموضوعات:	труды учёных ТПУ
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598357

الوصف
الملخص:	В фонде НТБ ТПУ отсутствует

مواد مشابهة