Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation

Detalles Bibliográficos
Parent link:Radiation effects express.— , 1987-1989
Vol. 1, iss. 6.— 1988.— P. 259-262
Outros autores: Kuznetsov P. V., Arefyev (Afef'ev, Arefiev) K. P. Konstantin Petrovich, Sokhoreva V. V., Vorobiev S. A.
Summary:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Idioma:inglés
Publicado: 1988
Subjects:
Formato: Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598357
Descripción
Summary:В фонде НТБ ТПУ отсутствует