Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10

Bibliografiske detaljer
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039
Andre forfattere:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., Погребняк А. Д.
Sprog:	russisk
Udgivet:	1981
Fag:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312

Lignende værker

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
af: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1978)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Udgivet: (2005)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2010)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2004)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
af: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Udgivet: (Ташкент, Фан, 1979)

Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1991)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
af: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Udgivet: (Москва, Советское радио, 1976)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1988)

Совершенство слова: теоретический анализ; Святая Русь: совершенство слова
af: Чуринов Н. М. Николай Мефодьевич
Udgivet: (Красноярск, Город, 2012)

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: в 2 ч.
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1984)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
af: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Udgivet: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Udgivet: (2015)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
af: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Udgivet: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Ч. 1; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (1977)

Ч. 2; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (1977)

Физико-химические основы легирования полупроводников
af: Глазов В. М. Василий Михайлович
Udgivet: (Москва, Наука, 1967)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
af: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Udgivet: (Томск, 2010)

Ч. 2; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (1975)

Ч. 1; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
Udgivet: (1975)

Процессный подход и совершенство бизнеса
Udgivet: (Москва, Трек, 2003)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
af: Чижевич Л. А.
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 1974)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Udgivet: (1977)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
Udgivet: (1979)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
af: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Udgivet: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
af: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Udgivet: (Томск, 2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
af: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Udgivet: (2015)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
af: Ли Цзень Фень
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 2006)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1981)

Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1972)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
af: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Udgivet: (Москва, Физматлит, 2009)

Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: [сборник]; в 2 ч.
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1975)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
af: Олешко В. И. Владимир Иванович
Udgivet: (2024)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Udgivet: (2015)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Udgivet: (2004)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
af: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Udgivet: (2012)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Udgivet: (2004)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
af: Пешев В. В.
Udgivet: (2004)

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: материалы симпозиума; в 2-х частях
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1977-)