Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
| Parent link: | Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039 |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | , , , |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
1981
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
প্রকাশিত: (2005)
প্রকাশিত: (2005)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
অনুযায়ী: Александров Л. Н. Леонид Наумович
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1978)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2010)
Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1991)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1991)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)
Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1988)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1988)
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
অনুযায়ী: Байдусь Н. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
অনুযায়ী: Байдусь Н. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2004)
Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
অনুযায়ী: Батавин В. В. Виталий Васильевич
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1976)
অনুযায়ী: Батавин В. В. Виталий Васильевич
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1976)
Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
অনুযায়ী: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
প্রকাশিত: (Томск, 2024)
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1979)
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1979)
Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
অনুযায়ী: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1987)
অনুযায়ী: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
অনুযায়ী: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
প্রকাশিত: (2015)
The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: в 2 ч.
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1984)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1984)
Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
প্রকাশিত: (1979)
প্রকাশিত: (1979)
Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
প্রকাশিত: (1977)
প্রকাশিত: (1977)
Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
অনুযায়ী: Peshev V. V.
প্রকাশিত: (2007)
অনুযায়ী: Peshev V. V.
প্রকাশিত: (2007)
Ч. 2; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (1977)
প্রকাশিত: (1977)
Ч. 1; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (1977)
প্রকাশিত: (1977)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
অনুযায়ী: Арефьев К. П. Константин Петрович
প্রকাশিত: (1983)
অনুযায়ী: Арефьев К. П. Константин Петрович
প্রকাশিত: (1983)
Совершенство слова: теоретический анализ; Святая Русь: совершенство слова
অনুযায়ী: Чуринов Н. М. Николай Мефодьевич
প্রকাশিত: (Красноярск, Город, 2012)
অনুযায়ী: Чуринов Н. М. Николай Мефодьевич
প্রকাশিত: (Красноярск, Город, 2012)
Ч. 2; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (1975)
প্রকাশিত: (1975)
Ч. 1; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
প্রকাশিত: (1975)
প্রকাশিত: (1975)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
অনুযায়ী: Тяжлов В. С.
প্রকাশিত: (Саратов, СГУ, 2019)
অনুযায়ী: Тяжлов В. С.
প্রকাশিত: (Саратов, СГУ, 2019)
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
অনুযায়ী: Тихов С. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
অনুযায়ী: Тихов С. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
প্রকাশিত: (1976)
প্রকাশিত: (1976)
Физика и технология полупроводниковых пленок
অনুযায়ী: Фреик Д. М. Дмитрий Михайлович
প্রকাশিত: (Львов, Вища школа, 1988)
অনুযায়ী: Фреик Д. М. Дмитрий Михайлович
প্রকাশিত: (Львов, Вища школа, 1988)
Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
অনুযায়ী: Дорохин М. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
অনুযায়ী: Дорохин М. В.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 8/2 (приложение)
প্রকাশিত: (2009)
প্রকাশিত: (2009)
Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1972)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1972)
Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)