Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039
Altri autori:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., Погребняк А. Д.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	1981
Soggetti:	труды учёных ТПУ
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312

Documenti analoghi

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
Pubblicazione: (2005)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
di: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1978)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2010)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Pubblicazione: (2015)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
Pubblicazione: (2011)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
di: Peshev V. V.
Pubblicazione: (2007)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
di: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Pubblicazione: (2015)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
Pubblicazione: (2004)

Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1991)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1988)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок в 2 ч.
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1984)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
di: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Pubblicazione: (2012)

Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
Pubblicazione: (2008)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
di: Арефьев К. П. Константин Петрович
Pubblicazione: (1983)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
Pubblicazione: (1976)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2004)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Ли Цзень Фень
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2006)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Pubblicazione: (1998)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
di: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1976)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Pubblicazione: (2015)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
di: Байдусь Н. В.
Pubblicazione: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)

Совершенство слова: теоретический анализ Святая Русь: совершенство слова
di: Чуринов Н. М. Николай Мефодьевич
Pubblicazione: (Красноярск, Город, 2012)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
di: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation
Pubblicazione: (2009)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs
Pubblicazione: (1977)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами
Pubblicazione: (1979)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2011)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs
Pubblicazione: (2006)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
di: Синягина М. А.
Pubblicazione: (2013)

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs
di: Ардышев В. М.
Pubblicazione: (1998)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
di: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига
Pubblicazione: (1998)