Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs

Bibliografische gegevens
Parent link:Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967-
Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039
Andere auteurs: Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., Погребняк А. Д.
Taal:Russisch
Gepubliceerd in: 1981
Onderwerpen:
Formaat: Hoofdstuk
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312