Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10
| Parent link: | Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039 |
|---|---|
| Další autoři: | , , , |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
1981
|
| Témata: | |
| Médium: | Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312 |