|
|
|
|
| LEADER |
00000naa0a2200000 4500 |
| 001 |
598312 |
| 005 |
20250314154309.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\tpu\21912
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\tpu\21911
|
| 090 |
|
|
|a 598312
|
| 100 |
|
|
|a 20121019d1981 k||y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
|f К. П. Арефьев [и др.]
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 2039 (9 назв.)
|
| 461 |
|
|
|t Физика и техника полупроводников
|o научный журнал
|f Российская Академия наук
|d 1967-
|
| 463 |
|
|
|t Т. 15, вып. 10
|v С. 2037-2039
|d 1981
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Арефьев
|b К. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|c член-корреспондент РАЕН
|f 1947-
|g Константин Петрович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19765
|4 070
|9 7703
|
| 701 |
|
1 |
|a Климов
|b В. Н.
|
| 701 |
|
1 |
|a Мелев
|b В. Г.
|
| 701 |
|
1 |
|a Погребняк
|b А. Д.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120913
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121019
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c CR
|
