Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 15, вып. 10.— 1981.— С. 2037-2039
Altres autors:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., Погребняк А. Д.
Idioma:	rus
Publicat:	1981
Matèries:	труды учёных ТПУ
Format:	Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598312

Descripció
Descripció no disponible.

Ítems similars