Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., & Погребняк А. Д. (1981). Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10. 1981.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Арефьев К. П. Константин Петрович, Климов В. Н., Мелев В. Г., и Погребняк А. Д. Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10. 1981, 1981.
Цитирование MLA (9-е изд.)Арефьев К. П. Константин Петрович, et al. Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10. 1981, 1981.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.