Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции

Bibliographic Details
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 12, вып. 9.— 1978.— С. 1767-1770
Other Authors:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Гришин А. Н., Климов В. Н., Шапошников А. Т., Цой А. А., Этин Г. И.
Language:	Russian
Published:	1978
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598309

Similar Items

Изучение тонких пленок GeO методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 8, вып. 6
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1974)

Исследование дефектов водородного происхождения методом электрон-позитронной аннигиляции; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Published: (2006)

Исследование структурных свойств инструментальных материалов методом электронно-позитронной аннигиляции; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 3
Published: (2000)

Исследование поверхностных слоев металлических материалов методом позитронной аннигиляции после высокоскоростной резки; Современные проблемы машиностроения
by: Лаптев Р. С. Роман Сергеевич
Published: (2022)

Изучение тонких диэлектрических пленок методом позитронной аннигиляции; Физика диэлектриков и перспективы ее развития; Т. 2: Поляризация, электретный эффект. Старение и пробой диэлектриков
Published: (1973)

Контроль нарушений сплошности в сталях и сплавах методом электронно-позитронной аннигиляции; Дефектоскопия; № 12
Published: (1989)

Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов
Published: (Ташкент, Фан, 1985)

О температурном эффекте позитронной аннигиляции в металлах; Физика твердого тела; Т. 14, № 4
by: Воробьев А. А. Александр Акимович
Published: (1972)

Исследование позитронной аннигиляции с применением источника позитронов 64Cu; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
by: Чэнь В.
Published: (2017)

Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции; Кристаллография; Т. 21, вып. 5
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1976)

Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции; Кристаллография; Т. 21, вып. 5
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1976)

Исследование методом позитронной аннигиляции дефектности структуры в поверхностном слое конструкционных сплавов: отчет о НИР (заключительный); теиа: х/д 6-50/86
Published: (Томск, 1986)

Определение висмута в арсениде галлия; Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ; № 4
by: Глуховская Р. Д.
Published: (1964)

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 2
Published: (1984)

Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов; Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика; Гл. IV, § 3
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1978)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)

Определение сурьмы в арсениде галлия методом амальгамной полярографии; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 164 : Исследования в области амальгамной полярографии с накоплением
by: Захарова Э. А. Эльза Арминовна
Published: (1967)

О применении метода позитронной аннигиляции в исследовании тонких поверхностных слоев; Журнал технической физики; Т. 51, вып. 9
by: Погребняк А. Д.
Published: (1981)

Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов; Известия вузов. Физика; Т. 25, № 5
Published: (1982)

Оценка ширины валентной зоны в кристаллах посредством метода электрон-позитронной аннигиляции; Физика твердого тела; Т. 27, № 12
Published: (1985)

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12
by: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Published: (1982)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2005)

Разработка цифрового спектрометрического комплекса для исследования материалов методами электрон-позитронной аннигиляции; Современные техника и технологии; Т. 1
by: Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич
Published: (2012)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2008)

Определение некоторых микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением; Всесоюзная конференция по получению и анализу элементов особой чистоты
by: Катаев Г. А. Григорий Алексеевич
Published: (1963)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами; Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделия; № 2-3
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
by: Карпель Н. Г.
Published: (Москва, [Б. и.], 1964)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
by: Прокопьев Д. Г.
Published: (2011)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Published: (Москва, Радио и связь, 1988)

Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 33, вып. 6
by: Ардышев В. М.
Published: (1999)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
by: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Published: (1983)

Определение параметров деформационного потенциала в полярных диэлектриках по данным метода электронно-позитронной аннигиляции; Известия вузов. Физика; Т. 29, № 10
by: Боев О. В. Олег Владимирович
Published: (1986)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
by: Черняев А. В. Александр Владимирович
Published: (Москва, Радио и связь, 1990)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Published: (Томск, 1967)

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия; Химия и химическая технология; Вып. 1
by: Мамонтова И. П.
Published: (1973)

Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов; Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах
by: Воробьев А. А. Александр Акимович
Published: (1978)

Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов; Журнал технической физики; Т. 88, вып. 6
Published: (2018)

Влияние примесей He и H на характеристики электрон-позитронной аннигиляции в α-Zr и Nb; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
by: Терентьева Д. В. Дарья Витальевна
Published: (2025)