Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9

Bibliografiska uppgifter
Parent link:Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967-
Т. 12, вып. 9.— 1978.— С. 1767-1770
Övriga upphovsmän: Арефьев К. П. Константин Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Гришин А. Н., Климов В. Н., Шапошников А. Т., Цой А. А., Этин Г. И.
Språk:ryska
Publicerad: 1978
Ämnen:
Materialtyp: Bokavsnitt
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598309

Liknande verk