Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9

Podrobná bibliografie
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 12, вып. 9.— 1978.— С. 1767-1770
Další autoři:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Гришин А. Н., Климов В. Н., Шапошников А. Т., Цой А. А., Этин Г. И.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	1978
Témata:	труды учёных ТПУ
Médium:	MixedMaterials Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598309

Podobné jednotky