Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9

Détails bibliographiques
Parent link:Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967-
Т. 12, вып. 9.— 1978.— С. 1767-1770
Autres auteurs: Арефьев К. П. Константин Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Гришин А. Н., Климов В. Н., Шапошников А. Т., Цой А. А., Этин Г. И.
Langue:russe
Publié: 1978
Sujets:
Format: Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598309

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 598309
005 20250313165912.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\21909 
035 |a RU\TPU\tpu\21908 
090 |a 598309 
100 |a 20121019d1978 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции  |f К. П. Арефьев [и др.] 
320 |a Библиогр.: с. 1770 (8 назв.) 
461 |t Физика и техника полупроводников  |o научный журнал  |f Российская Академия наук  |d 1967- 
463 |t Т. 12, вып. 9  |v С. 1767-1770  |d 1978 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Арефьев  |b К. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |c член-корреспондент РАЕН  |f 1947-  |g Константин Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19765  |4 070  |9 7703 
701 1 |a Воробьев  |b С. А.  |c российский ученый, физик  |c старший научный сотрудник НИИ ядерной физики Томского политехнического университета  |f 1944-1992  |g Сергей Александрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19776  |4 070 
701 1 |a Гришин  |b А. Н. 
701 1 |a Климов  |b В. Н. 
701 1 |a Шапошников  |b А. Т. 
701 1 |a Цой  |b А. А. 
701 1 |a Этин  |b Г. И. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120913 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20121019  |g RCR 
942 |c CR