Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switches

Bibliographische Detailangaben
Parent link:IEEE Transactions on Plasma Science
Vol. 28, № 5.— 2000.— P. 1540-1544
1. Verfasser: Grekhov I. V.
Weitere Verfasser: Mesyats G. A. Gennady Andreyevich
Zusammenfassung:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: 2000
Schlagworte:
Format: Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596730