Physical basis for high-power semiconductor nanosecond opening switches; IEEE Transactions on Plasma Science; Vol. 28, № 5

מידע ביבליוגרפי
Parent link:IEEE Transactions on Plasma Science
Vol. 28, № 5.— 2000.— P. 1540-1544
מחבר ראשי: Grekhov I. V.
מחברים אחרים: Mesyats G. A. Gennady Andreyevich
סיכום:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
שפה:אנגלית
יצא לאור: 2000
נושאים:
פורמט: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596730