• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Ланжевеновский подход к теории...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Ланжевеновский подход к теории каналирования Монография

Ланжевеновский подход к теории каналирования, Монография

Bibliographic Details
Main Author: Кощеев В. П. Владимир Петрович
Corporate Author: Сургутский государственный университет
Published: Сургут, Изд-во СурГУ, 2001
Subjects:
ядерная физика
теория
ланжевеновский подход
осевое каналирование
плоскостное каналирование
непрерывные потенциалы
корреляционная функция флуктуаций
атомные цепочки
релятивистские каналированные частицы
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=59270
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Эффект осцилляций выхода электроядерных реакций при плоскостном каналировании релятивистских электронов
    Published: (2016)
  • Потенциал Пешля - Теллера в расчетах зонной структуры энергетических уровней для релятивистских каналированых позитронов
    by: Коротченко К. Б. Константин Борисович
    Published: (2014)
  • Непрерывный потенциал для задач аксиального накаливания и поправка, учитывающая дискретность атомной цепочки кристалла кремния. Траектории движения электрона при каналировании
    by: Ананьева А. А.
    Published: (2008)
  • Программный пакет для расчёта потенциала и энергетических зон при плоскостном каналировании
    by: Фикс Е. И. Елена Ивановна
    Published: (2008)
  • Spatial and angular distribution of 255 MeV electrons and positrons at (100) planar channeling in the Si crystals
    Published: (2011)