Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции

Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411 № 2.— 1967.— С. 156-157
Autor principal:	Гаман В. И.
Otros Autores:	Зайдман С. А.
Lenguaje:	ruso
Publicado:	1967
Materias:	физика кремниевые диоды поверхностная рекомбинация скорость труды учёных ТПУ
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592557

Ejemplares similares

Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967)

Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 049
por: Агафонников В. Ф.
Publicado: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)

Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки
por: Киселёв В.
Publicado: (2002)

Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
por: Гаман В. И.
Publicado: (2003)

Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода
por: Кулиш У. М.
Publicado: (1966)

О возможности создания диода со сверхрезким запирающих свойств на основе карбида кремния
Publicado: (2002)

Компьютерное моделирование рекомбинации пары Френкеля
por: Масалимов М. Н.
Publicado: (2012)

Связь параметров и структурного совершенства кремниевых pin-фотоприемников
por: Кулинич О. А.
Publicado: (2004)

К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции
por: Гаман В. И.
Publicado: (1966)

Влияние одноосной деформации кристалла на радиус спонтанной рекомбинации пары Френкеля
por: Избушкина Е.
Publicado: (2011)

Разработка гамма-толщиномера карбидо-кремниевых покрытий
por: Горохов Р. Е.
Publicado: (2013)

Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур
por: Акципетров О. А.
Publicado: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2012)

Гетерогенная хемилюминесценция при адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности скола халькогенидов
Publicado: (1986)

Исследования полупроводников и диэлектриков [сборник статей]
Publicado: (Москва, Изд-во АН СССР, 1963)

Нестационарные процессы поверхностной ионизации
por: Назаров Э. Г. Эркин Ганиджанович
Publicado: (Ташкент, Фан, 1991)

Фазовая диаграмма поверхностной сверхпроводимости
por: Марченко В. И.
Publicado: (2003)

Кинетические особенности фото и радиационных процессов в системах с ростом центров рекомбинации автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.02.00.04 - физическая химия
por: Колпаков О. Л. Олег Леонидович
Publicado: (Кемерово, 1990)

Устройство для регулируемого нагревания кремниевых стержней
Publicado: ()

Неравновесные и оптические процессы в конденсированных средах
por: Дроздов Н. А.
Publicado: (Минск, БГУ, 2016)

Надежность светоизлучающих диодов
por: Симонова А. В.
Publicado: (2015)

Технология поверхностной пластической обработки
por: Пшибыльский В.
Publicado: (Москва, Металлургия, 1991)

Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов сборник научных статей
Publicado: (Киев, Вища школа, 1975)

Флюидный режим железо-кремниевых систем
por: Гантимуров А. А. Анатолий Александрович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1982)

Взаимодействие молекул диоксида азота с поверхностью кремниевых нанокристаллов в слоях пористого кремния
Publicado: (2004)

Т. 4 : Силовые полупроводниковые приборы
Publicado: (1986)

Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1986)

Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Юрченко А. В. Алексей Васильевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2001)

Определение изотопного состава германия методом поверхностной ионизации
por: Поповцев Е. Е. Егор Евгеньевич
Publicado: (2015)

Геронтология кремниевых интегральных схем
por: Горлов М. И. Митрофан Иванович
Publicado: (Москва, Техносфера, 2004)

Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения
por: Гущин В. А.
Publicado: (2012)

Элементарные процессы при рекомбинации заряженных атомных частиц текст лекций учебное пособие для вузов
por: Коротков А. И.
Publicado: (Чебоксары, Изд-во Чувашского госуниверситета, 1987)

Разработка источника питания резистивного нагрева поликристаллических кремниевых стержней током высокой частоты
por: Лидовский Р. К.
Publicado: (2011)

Физика поверхности полупроводников учебное пособие для вузов
por: Пека Г. П. Генриета Павловна
Publicado: (Киев, Изд-во Киевского ун-та, 1967)

Новая технология поверхностной механохимической фтормодификации резин
Publicado: (2017)

Дополнительные возможности использования порометаллов для охлаждения линеек лазерных диодов
por: Аполлонов В. В.
Publicado: (2002)

Исследование по оптимизации режимов поверхностной обработки резьбовых элементов
por: Юрченко О. С.
Publicado: (2009)

Основы электроники и радиотехники учебное пособие для техникумов
por: Дробащенко И. Т. Иван Тихонович
Publicado: (Москва, Изд-во литературы по горному делу, 1961)

Полярографическое исследование кинетики рекомбинации анионов и кинетики диссоциации молекул и анионов пиромеллитовой кислоты [оттиск]
por: Турьян Я. И.
Publicado: (Москва, Изд-во ИРЕА, 1964)

Исследование и моделирование нестационарных процессов диффузии водорода В Ti, Zr, Pd, Ni автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Чжан Хунжу
Publicado: (Томск, 2021)

Исследование и моделирование нестационарных процессов диффузии водорода В Ti, Zr, Pd, Ni диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Чжан Хунжу
Publicado: (Томск, 2021)