Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411 № 2.— 1967.— С. 156-157 |
|---|---|
| Glavni avtor: | Гаман В. И. |
| Drugi avtorji: | Зайдман С. А. |
| Jezik: | ruščina |
| Izdano: |
1967
|
| Teme: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592557 |
Podobne knjige/članki
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
od: Гаман В. И.
Izdano: (1967)
od: Гаман В. И.
Izdano: (1967)
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
od: Агафонников В. Ф.
Izdano: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
od: Агафонников В. Ф.
Izdano: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
od: Киселёв В.
Izdano: (2002)
od: Киселёв В.
Izdano: (2002)
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
od: Гаман В. И.
Izdano: (2003)
od: Гаман В. И.
Izdano: (2003)
Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
od: Кулиш У. М.
Izdano: (1966)
od: Кулиш У. М.
Izdano: (1966)
Справочник по зарубежным диодам; Ч. 1
Izdano: (Москва, Солон-Р, 2000)
Izdano: (Москва, Солон-Р, 2000)
О возможности создания диода со сверхрезким запирающих свойств на основе карбида кремния; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 13
Izdano: (2002)
Izdano: (2002)
Cправочник по зарубежным диодам; Ч. 2
Izdano: (Москва, Солон-Р, 2000)
Izdano: (Москва, Солон-Р, 2000)
Связь параметров и структурного совершенства кремниевых pin-фотоприемников; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
od: Кулинич О. А.
Izdano: (2004)
od: Кулинич О. А.
Izdano: (2004)
Компьютерное моделирование рекомбинации пары Френкеля; Молодежь и современные информационные технологии
od: Масалимов М. Н.
Izdano: (2012)
od: Масалимов М. Н.
Izdano: (2012)
К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции; Известия вузов. Физика; № 5
od: Гаман В. И.
Izdano: (1966)
od: Гаман В. И.
Izdano: (1966)
Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем
od: Абрамов И. И. Игорь Иванович
Izdano: (Минск, БГУ, 1999)
od: Абрамов И. И. Игорь Иванович
Izdano: (Минск, БГУ, 1999)
Влияние одноосной деформации кристалла на радиус спонтанной рекомбинации пары Френкеля; Исследования молодых - регионам; Т. 1
od: Избушкина Е.
Izdano: (2011)
od: Избушкина Е.
Izdano: (2011)
Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур
od: Акципетров О. А.
Izdano: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2012)
od: Акципетров О. А.
Izdano: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2012)
Нестационарные процессы поверхностной ионизации
od: Назаров Э. Г. Эркин Ганиджанович
Izdano: (Ташкент, Фан, 1991)
od: Назаров Э. Г. Эркин Ганиджанович
Izdano: (Ташкент, Фан, 1991)
Устройство для регулируемого нагревания кремниевых стержней
Izdano: ()
Izdano: ()
Гетерогенная хемилюминесценция при адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности скола халькогенидов; 2 Всесоюзное совещание по хемилюминесценции
Izdano: (1986)
Izdano: (1986)
Технология поверхностной пластической обработки
od: Пшибыльский В.
Izdano: (Москва, Металлургия, 1991)
od: Пшибыльский В.
Izdano: (Москва, Металлургия, 1991)
Флюидный режим железо-кремниевых систем
od: Гантимуров А. А. Анатолий Александрович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1982)
od: Гантимуров А. А. Анатолий Александрович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1982)
Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов
Izdano: (Киев, Наукова думка, 1986)
Izdano: (Киев, Наукова думка, 1986)
Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах
od: Гриценко В. А. Владимир Алексеевич
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1993)
od: Гриценко В. А. Владимир Алексеевич
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1993)
Исследования полупроводников и диэлектриков: [сборник статей]
Izdano: (Москва, Изд-во АН СССР, 1963)
Izdano: (Москва, Изд-во АН СССР, 1963)
Кинетические особенности фото и радиационных процессов в системах с ростом центров рекомбинации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.02.00.04 - физическая химия
od: Колпаков О. Л. Олег Леонидович
Izdano: (Кемерово, 1990)
od: Колпаков О. Л. Олег Леонидович
Izdano: (Кемерово, 1990)
Неравновесные и оптические процессы в конденсированных средах
od: Дроздов Н. А.
Izdano: (Минск, БГУ, 2016)
od: Дроздов Н. А.
Izdano: (Минск, БГУ, 2016)
Геронтология кремниевых интегральных схем
od: Горлов М. И. Митрофан Иванович
Izdano: (Москва, Техносфера, 2004)
od: Горлов М. И. Митрофан Иванович
Izdano: (Москва, Техносфера, 2004)
Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
od: Юрченко А. В. Алексей Васильевич
Izdano: (Томск, 2001)
od: Юрченко А. В. Алексей Васильевич
Izdano: (Томск, 2001)
Полярографическое исследование кинетики рекомбинации анионов и кинетики диссоциации молекул и анионов пиромеллитовой кислоты: [оттиск]
od: Турьян Я. И.
Izdano: (Москва, Изд-во ИРЕА, 1964)
od: Турьян Я. И.
Izdano: (Москва, Изд-во ИРЕА, 1964)
Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
Izdano: (Киев, Вища школа, 1975)
Izdano: (Киев, Вища школа, 1975)
Разработка гамма-толщиномера карбидо-кремниевых покрытий; Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее; Ч. 1
od: Горохов Р. Е.
Izdano: (2013)
od: Горохов Р. Е.
Izdano: (2013)
Т. 4 : Силовые полупроводниковые приборы; Силовая преобразовательная техника
Izdano: (1986)
Izdano: (1986)
Упрочнение деталей машин поверхностной закалкой при индукционном нагреве
od: Шепеляковский К. З. Константин Захарович
Izdano: (Москва, Машиностроение, 1972)
od: Шепеляковский К. З. Константин Захарович
Izdano: (Москва, Машиностроение, 1972)
Взаимодействие молекул диоксида азота с поверхностью кремниевых нанокристаллов в слоях пористого кремния; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 4
Izdano: (2004)
Izdano: (2004)
Элементарные процессы при рекомбинации заряженных атомных частиц: текст лекций; учебное пособие для вузов
od: Коротков А. И.
Izdano: (Чебоксары, Изд-во Чувашского госуниверситета, 1987)
od: Коротков А. И.
Izdano: (Чебоксары, Изд-во Чувашского госуниверситета, 1987)
Поверхностная диффузия и растекание: материалы конф. по поверхностной диффузии, Харьков, 1967 г.
Izdano: (Москва, Наука, 1969)
Izdano: (Москва, Наука, 1969)
Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов
od: Дракин А. Ю.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)
od: Дракин А. Ю.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)
Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров: Справочник
od: Черепанов В. П. Вадим Павлович
Izdano: (Москва, РадиоСофт, 1999)
od: Черепанов В. П. Вадим Павлович
Izdano: (Москва, РадиоСофт, 1999)
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
od: Гущин В. А.
Izdano: (2012)
od: Гущин В. А.
Izdano: (2012)
Применение туннельных диодов в импульсной технике
od: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Izdano: (Москва, Связь, 1974)
od: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Izdano: (Москва, Связь, 1974)
Физика поверхности полупроводников: учебное пособие для вузов
od: Пека Г. П. Генриета Павловна
Izdano: (Киев, Изд-во Киевского ун-та, 1967)
od: Пека Г. П. Генриета Павловна
Izdano: (Киев, Изд-во Киевского ун-та, 1967)
Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
od: Юрченко А. В. Алексей Васильевич
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2001)
od: Юрченко А. В. Алексей Васильевич
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2001)
Podobne knjige/članki
-
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
od: Гаман В. И.
Izdano: (1967) -
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
od: Агафонников В. Ф.
Izdano: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968) -
Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
od: Киселёв В.
Izdano: (2002) -
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
od: Гаман В. И.
Izdano: (2003) -
Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
od: Кулиш У. М.
Izdano: (1966)