Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2

Ítems similars

• Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
  per: Гаман В. И.
  Publicat: (1967)
• Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
  per: Агафонников В. Ф.
  Publicat: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
• Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
  per: Киселёв В.
  Publicat: (2002)
• Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
  per: Гаман В. И.
  Publicat: (2003)
• Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
  per: Кулиш У. М.
  Publicat: (1966)