Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411
№ 2.— 1967.— С. 156-157
1. Verfasser: Гаман В. И.
Weitere Verfasser: Зайдман С. А.
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 1967
Schlagworte:
Format: Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592557