Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411 № 2.— 1967.— С. 156-157
Autor principal:	Гаман В. И.
Altres autors:	Зайдман С. А.
Idioma:	rus
Publicat:	1967
Matèries:	физика кремниевые диоды поверхностная рекомбинация скорость труды учёных ТПУ
Format:	Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592557

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	592557
005	20231101131721.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\tpu\4792
090			\|a 592557
100			\|a 20011210a1967 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции \|f В. И. Гаман, С. А. Зайдман
461		0	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191 \|x 0021-3411 \|t Известия вузов. Физика \|l Russian Physics Journal \|d 1958-2017, 2020-
463		0	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\76670 \|t № 2 \|v С. 156-157 \|d 1967
610	1		\|a физика
610	1		\|a кремниевые диоды
610	1		\|a поверхностная рекомбинация
610	1		\|a скорость
610	1		\|a труды учёных ТПУ
700		1	\|a Гаман \|b В. И.
701		1	\|a Зайдман \|b С. А.
801		0	\|a RU \|b 63413507 \|c 20011210 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20220729 \|g PSBO
942			\|c BK