Гаман В. И. & Зайдман С. А. (1967). Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2. 1967.
Dyfyniad Arddull ChicagoГаман В. И. and Зайдман С. А. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2. 1967, 1967.
Dyfyniad MLAГаман В. И. and Зайдман С. А. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2. 1967, 1967.
Rhybudd: Mae'n bosib nad yw'r dyfyniadau hyn bob amser yn 100% cywir.