Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)

Detalles Bibliográficos
Parent link:Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.).— 1966.— С. 50-51
Otros Autores: Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И.
Lenguaje:ruso
Publicado: 1966
Materias:
Formato: Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=590938

Ejemplares similares