Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.).— 1966.— С. 50-51
Άλλοι συγγραφείς: Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И.
Γλώσσα:Ρωσικά
Έκδοση: 1966
Θέματα:
Μορφή: Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=590938

Παρόμοια τεκμήρια