Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов

Bibliographic Details
Parent link:Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.). С. 50-51.— , 1966
Other Authors: Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И.
Language:Russian
Published: 1966
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=590938