Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)

פריטים דומים

• Кинетика накопления F-центров в щелочногалоидных кристаллах с пониженной дефектностью; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)
  מאת: Гольденберг С. У.
  יצא לאור: (1966)
• Вероятности процессов образования и разрушения F-центров в "чистых" и легированных щелочногалоидных кристаллах; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)
  יצא לאור: (1966)
• Связь между геометрией трека протона и кинетикой накопления и коагуляции электронных центров в щелочногалоидных кристаллах; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)
  מאת: Вайсбурд Д. И.
  יצא לאור: (1966)
• Накопление электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Радиационная физика неметаллических кристаллов
  מאת: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
  יצא לאור: (1967)
• Термовысвечивание облученных чистых и примесных кристаллов фторидов щелочноземельных металлов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)
  יצא לאור: (1966)