Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.). С. 50-51.— , 1966
مؤلفون آخرون: Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И.
اللغة:الروسية
منشور في: 1966
الموضوعات:
التنسيق: فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=590938

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 590938
005 20250623155459.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\585 
035 |a TPU00000585 
090 |a 590938 
100 |a 20011210d1966 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов  |f А. Н. Кравец [и др.] 
463 1 |t Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)  |v С. 50-51  |d 1966 
610 1 |a физика 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Кравец  |b А. Н. 
701 1 |a Минаев  |b С. М. 
701 1 |a Мелик-Гайказян  |b И. Я. 
701 1 |a Вайсбурд  |b Д. И. 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20011210  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20090527  |g PSBO 
850 |a 63413507 
942 |c BK