Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.)
| Parent link: | Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.).— 1966.— С. 50-51 |
|---|---|
| Outros Autores: | , , , |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
1966
|
| Assuntos: | |
| Formato: | Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=590938 |
| Descrição não disponível. |