APA (7th ed.) Citation

Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., & Вайсбурд Д. И. (1966). Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.). 1966.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Кравец А. Н., Минаев С. М., Мелик-Гайказян И. Я., and Вайсбурд Д. И. Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.). 1966, 1966.

MLA (9th ed.) Citation

Кравец А. Н., et al. Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Тезисы докладов пятнадцатого совещания по люминесценции. Дефекты в ионных кристаллах (г. Тбилиси, 17-23 ноября 1966 г.). 1966, 1966.