Генерация объемной плазмы дуговым разрядом с накаленным катодом; Известия вузов. Физика; Т. 37, № 3

Bibliografski detalji
Parent link:Известия вузов. Физика/ Российская Федерация, Министерство образования и науки ; ФГБОУ ВПО "Национальный исследовательский Томский государственный университет".— , 1958-.— 0021-3411
Т. 37, № 3.— 1994.— С. 115-120
Glavni autor: Борисов Д. П. Дмитрий Петрович
Daljnji autori: Коваль Н. Н. Николай Николаевич, Щанин П. М.
Sažetak:В результате зондовых изменений установлено, что плазма, создаваемая дуговым разрядом с накаленным катодом, имеет две группы электронов с температурой ~4 и 10 эВ и концентрацией 10 10 - 10 11См-3 с равномерным распределением в объеме 0,2 м-3. Приведены зависимости напряжения горения разряда от давления и тока накала катода, низкотемпературные режимы нанесения покрытий из TiN на металлы иэиэлектрики после обраблтки изделий плазмой, рассмтрена конструкция разрядной системы.
Jezik:ruski
Izdano: 1994
Teme:
Format: Poglavlje knjige
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=563685

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 563685
005 20231101123518.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\259302 
035 |a RU\TPU\prd\259082 
090 |a 563685 
100 |a 20160614a1994 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Генерация объемной плазмы дуговым разрядом с накаленным катодом  |f Д. П. Борисов, Н. Н. Коваль, П. М. Щанин 
330 |a В результате зондовых изменений установлено, что плазма, создаваемая дуговым разрядом с накаленным катодом, имеет две группы электронов с температурой ~4 и 10 эВ и концентрацией 10 10 - 10 11См-3 с равномерным распределением в объеме 0,2 м-3. Приведены зависимости напряжения горения разряда от давления и тока накала катода, низкотемпературные режимы нанесения покрытий из TiN на металлы иэиэлектрики после обраблтки изделий плазмой, рассмтрена конструкция разрядной системы. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |f Российская Федерация, Министерство образования и науки ; ФГБОУ ВПО "Национальный исследовательский Томский государственный университет"  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77110  |t Т. 37, № 3  |v С. 115-120  |d 1994 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Борисов  |b Д. П.  |c физик  |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1966-  |g Дмитрий Петрович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31362 
701 1 |a Коваль  |b Н. Н.  |c специалист в области электроники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1948-  |g Николай Николаевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31831 
701 1 |a Щанин  |b П. М. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101024 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160614  |g RCR 
942 |c BK