Томография на комптоновском обратном рассеянии. Состояние и перспективы: обзор; Дефектоскопия; № 10

Томография на комптоновском обратном рассеянии. Состояние и перспективы: обзор; Дефектоскопия; № 10

Bibliographic Details
Parent link:Дефектоскопия.— , 1965-
№ 10.— 1994.— С. 36-53
Other Authors: Капранов Б. И. Борис Иванович, Маклашевский В. Я., Филинов В. Н., Чахлов В. Л. Владимир Лукьянович, Бартошко В. А., Фомин О. А.
Summary:Комптоновское рассеяние - один из основных процессов взаимодействия γ- и рентгеновского излучения с материалами, имеющими малый атомный номер. В области энергий от 0,01 до 1,0 МэВ оно является главным процессом взаимодействия, приводящим к формированию рассеянных потоков и в том числе обратнорассеянных. Анализ современного состояния томографии на комптоновском обратном рассеянии показал, что этот метод обладает преимуществами при решении некоторого класса задач неразрушающего контроля (односторонний доступ, неоднородные материалы, невозможность механич. контакта с объектом контроля, большие габариты объектов и др.). Важным преимуществом является также совмещение источника и детектора в одном блоке, что дает возможность создавать компактные системы.
Language:Russian
Published: 1994
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=520373

Similar Items

Similar Items