Томография на комптоновском обратном рассеянии. Состояние и перспективы, обзор

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Дефектоскопия.— , 1965-
№ 10.— 1994.— С. 36-53
Weitere Verfasser: Капранов Б. И. Борис Иванович, Маклашевский В. Я., Филинов В. Н., Чахлов В. Л. Владимир Лукьянович, Бартошко В. А., Фомин О. А.
Zusammenfassung:Комптоновское рассеяние - один из основных процессов взаимодействия γ- и рентгеновского излучения с материалами, имеющими малый атомный номер. В области энергий от 0,01 до 1,0 МэВ оно является главным процессом взаимодействия, приводящим к формированию рассеянных потоков и в том числе обратнорассеянных. Анализ современного состояния томографии на комптоновском обратном рассеянии показал, что этот метод обладает преимуществами при решении некоторого класса задач неразрушающего контроля (односторонний доступ, неоднородные материалы, невозможность механич. контакта с объектом контроля, большие габариты объектов и др.). Важным преимуществом является также совмещение источника и детектора в одном блоке, что дает возможность создавать компактные системы.
Veröffentlicht: 1994
Schlagworte:
Format: Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=520373