Томография на комптоновском обратном рассеянии. Состояние и перспективы, обзор

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Дефектоскопия.— , 1965-
№ 10.— 1994.— С. 36-53
Beste egile batzuk: Капранов Б. И. Борис Иванович, Маклашевский В. Я., Филинов В. Н., Чахлов В. Л. Владимир Лукьянович, Бартошко В. А., Фомин О. А.
Gaia:Комптоновское рассеяние - один из основных процессов взаимодействия γ- и рентгеновского излучения с материалами, имеющими малый атомный номер. В области энергий от 0,01 до 1,0 МэВ оно является главным процессом взаимодействия, приводящим к формированию рассеянных потоков и в том числе обратнорассеянных. Анализ современного состояния томографии на комптоновском обратном рассеянии показал, что этот метод обладает преимуществами при решении некоторого класса задач неразрушающего контроля (односторонний доступ, неоднородные материалы, невозможность механич. контакта с объектом контроля, большие габариты объектов и др.). Важным преимуществом является также совмещение источника и детектора в одном блоке, что дает возможность создавать компактные системы.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 1994
Gaiak:
Formatua: Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=520373

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 520373
005 20231101110322.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\199721 
035 |a RU\TPU\prd\199720 
090 |a 520373 
100 |a 20131031a1994 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Томография на комптоновском обратном рассеянии. Состояние и перспективы  |e обзор  |f Б. И. Капранов [и др.] 
320 |a Библиогр.: с. 49-53 (112 назв.) 
330 |a Комптоновское рассеяние - один из основных процессов взаимодействия γ- и рентгеновского излучения с материалами, имеющими малый атомный номер. В области энергий от 0,01 до 1,0 МэВ оно является главным процессом взаимодействия, приводящим к формированию рассеянных потоков и в том числе обратнорассеянных. Анализ современного состояния томографии на комптоновском обратном рассеянии показал, что этот метод обладает преимуществами при решении некоторого класса задач неразрушающего контроля (односторонний доступ, неоднородные материалы, невозможность механич. контакта с объектом контроля, большие габариты объектов и др.). Важным преимуществом является также совмещение источника и детектора в одном блоке, что дает возможность создавать компактные системы. 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\151  |t Дефектоскопия  |d 1965- 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\87683  |t № 10  |v С. 36-53  |d 1994 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Капранов  |b Б. И.  |c российский учёный в области физических методов и приборов контроля качества  |c профессор Томского политехнического университета  |g Борис Иванович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26476  |4 070 
701 1 |a Маклашевский  |b В. Я. 
701 1 |a Филинов  |b В. Н. 
701 1 |a Чахлов  |b В. Л.  |c физик  |c заслуженный деятель науки и техники Российской Федерации  |c заслуженный профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1934-2011  |g Владимир Лукьянович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19882  |4 070 
701 1 |a Бартошко  |b В. А. 
701 1 |a Фомин  |b О. А. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20020409  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140204  |g PSBO 
942 |c BK