Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов; Письма в Журнал технической физики; Т. 22, вып. 1

Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов; Письма в Журнал технической физики; Т. 22, вып. 1

Бібліографічні деталі
Parent link:Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975-
Т. 22, вып. 1.— 1996.— С. 7-11
Інші автори: Заводчиков В. М., Кобзев А. П., Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Пичугин В. Ф. Владимир Федорович, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Франгульян Т. С. Тамара Семёновна
Резюме:Представлены результаты исследования приповерхностных слоев <100> монокристаллов MgO, имплантированных ионами Fe (70 кэВ, 1016 см-2) и Al (60 кэВ, 1017 см-2) методом РОР ионов гелия и резонансного обратного рассеяния. Установлено, что в результате ионного облучения происходит преимущественное убывание кислорода (не зависящее от сорта и дозы внедряемых ионов), приводящее к отклонению от стехиометрии основного состава приповерхностных слоев исследованных кристаллов. Для формирования проводящего состояния ионно-облученных слоев диэлектрических кристаллов необходимым условием является изменение стехиометрии состава за счет преимущественного убывания кислорода
Мова:Російська
Опубліковано: 1996
Предмети:
труды учёных ТПУ
Формат: Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506824

Схожі ресурси

Схожі ресурси