Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов
| Parent link: | Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975- Т. 22, вып. 1.— 1996.— С. 7-11 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Summary: | Представлены результаты исследования приповерхностных слоев <100> монокристаллов MgO, имплантированных ионами Fe (70 кэВ, 1016 см-2) и Al (60 кэВ, 1017 см-2) методом РОР ионов гелия и резонансного обратного рассеяния. Установлено, что в результате ионного облучения происходит преимущественное убывание кислорода (не зависящее от сорта и дозы внедряемых ионов), приводящее к отклонению от стехиометрии основного состава приповерхностных слоев исследованных кристаллов. Для формирования проводящего состояния ионно-облученных слоев диэлектрических кристаллов необходимым условием является изменение стехиометрии состава за счет преимущественного убывания кислорода |
| Language: | Russian |
| Published: |
1996
|
| Subjects: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506824 |