|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
506824 |
| 005 |
20240208163456.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\177955
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\102460
|
| 090 |
|
|
|a 506824
|
| 100 |
|
|
|a 20130520a1996 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов
|f В. М. Заводчиков [и др.]
|
| 330 |
|
|
|a Представлены результаты исследования приповерхностных слоев <100> монокристаллов MgO, имплантированных ионами Fe (70 кэВ, 1016 см-2) и Al (60 кэВ, 1017 см-2) методом РОР ионов гелия и резонансного обратного рассеяния. Установлено, что в результате ионного облучения происходит преимущественное убывание кислорода (не зависящее от сорта и дозы внедряемых ионов), приводящее к отклонению от стехиометрии основного состава приповерхностных слоев исследованных кристаллов. Для формирования проводящего состояния ионно-облученных слоев диэлектрических кристаллов необходимым условием является изменение стехиометрии состава за счет преимущественного убывания кислорода
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\486
|t Письма в Журнал технической физики
|f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН
|d 1975-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\102282
|t Т. 22, вып. 1
|v С. 7-11
|d 1996
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Заводчиков
|b В. М.
|
| 701 |
|
1 |
|a Кобзев
|b А. П.
|
| 701 |
|
1 |
|a Крючков
|b Ю. Ю.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1945-
|g Юрий Юрьевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25821
|9 11694
|
| 701 |
|
1 |
|a Пичугин
|b В. Ф.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1944-
|g Владимир Федорович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824
|
| 701 |
|
1 |
|a Сохорева
|b В. В.
|c физик
|c старший научный сотрудник Томского политехнического университета
|f 1944-
|g Валентина Викторовна
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28149
|9 13107
|
| 701 |
|
1 |
|a Франгульян
|b Т. С.
|c росиийскиё учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников
|c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета
|g Тамара Семёновна
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20021105
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130520
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
