Detalles Bibliográficos
| Parent link: | Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975-
Т. 22, вып. 1.— 1996.— С. 7-11 |
|---|
| Otros Autores: |
Заводчиков В. М.,
Кобзев А. П.,
Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич,
Пичугин В. Ф. Владимир Федорович,
Сохорева В. В. Валентина Викторовна,
Франгульян Т. С. Тамара Семёновна |
|---|
| Sumario: | Представлены результаты исследования приповерхностных слоев <100> монокристаллов MgO, имплантированных ионами Fe (70 кэВ, 1016 см-2) и Al (60 кэВ, 1017 см-2) методом РОР ионов гелия и резонансного обратного рассеяния. Установлено, что в результате ионного облучения происходит преимущественное убывание кислорода (не зависящее от сорта и дозы внедряемых ионов), приводящее к отклонению от стехиометрии основного состава приповерхностных слоев исследованных кристаллов. Для формирования проводящего состояния ионно-облученных слоев диэлектрических кристаллов необходимым условием является изменение стехиометрии состава за счет преимущественного убывания кислорода |
|---|
| Lenguaje: | ruso |
|---|
| Publicado: |
1996
|
|---|
| Materias: | |
|---|
| Formato: | Capítulo de libro
|
|---|
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506824 |
|---|
