Модифицирование ионной бомбардировкой свойств сильно легированных окисью магния кристаллов LiNbO[3]; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 10

Библиографические подробности
Источник:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-
№ 10.— 2006.— С. 63-68
Главный автор: Булычева А. А.
Другие авторы: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Примечания:Исследовано влияние примеси Mg на эффективность процесса формирования проводящих слоев в кристаллах ниобата лития под действием ионной бомбардировки. Кристаллы чистого LiNbO[3] и LiNbO[3] с примесью Mg (0-10 мол.%) были облучены ионами Ar{+} с энергией 150 кэВ флюенсом 10{16} ион/см{2} при комнатной температуре. Как следствие облучения, имеет место рост поверхн. проводимости σ[s] более чем на 5-6 порядков. Выявлено, что электропроводность ионно-облученных слоев является прыжковой поляронной, а температурная зависимость проводимости обладает характерной температурой T[0], разделяющей две области: при T>T[0] проводимость носит монополяронный характер; при T<T[0] происходит вымораживание монополяронных состояний, и вклад биполяронов в электроперенос становится доминирующим. Увеличение концентрации примеси Mg до 10 мол.% приводит к изменению спектра оптического поглощения ионно-модифицированных кристаллов LiNbO[3] и появлению полосы оптич. поглощения при 3,7 эВ, связанной с формированием дефекта замещения Mg[Nb]
Язык:русский
Опубликовано: 2006
Предметы:
Формат: MixedMaterials Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506647

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 506647
005 20231101103252.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\177722 
035 |a RU\TPU\prd\177574 
090 |a 506647 
100 |a 20130516a2006 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Модифицирование ионной бомбардировкой свойств сильно легированных окисью магния кристаллов LiNbO[3]  |f А. А. Булычева, В. Ф. Пичугин 
320 |a Библиогр.: 9 назв. 
330 |a Исследовано влияние примеси Mg на эффективность процесса формирования проводящих слоев в кристаллах ниобата лития под действием ионной бомбардировки. Кристаллы чистого LiNbO[3] и LiNbO[3] с примесью Mg (0-10 мол.%) были облучены ионами Ar{+} с энергией 150 кэВ флюенсом 10{16} ион/см{2} при комнатной температуре. Как следствие облучения, имеет место рост поверхн. проводимости σ[s] более чем на 5-6 порядков. Выявлено, что электропроводность ионно-облученных слоев является прыжковой поляронной, а температурная зависимость проводимости обладает характерной температурой T[0], разделяющей две области: при T>T[0] проводимость носит монополяронный характер; при T<T[0] происходит вымораживание монополяронных состояний, и вклад биполяронов в электроперенос становится доминирующим. Увеличение концентрации примеси Mg до 10 мол.% приводит к изменению спектра оптического поглощения ионно-модифицированных кристаллов LiNbO[3] и появлению полосы оптич. поглощения при 3,7 эВ, связанной с формированием дефекта замещения Mg[Nb] 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1685  |t Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования  |f Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН  |d 1996- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\107813  |t № 10  |v С. 63-68  |d 2006 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Булычева  |b А. А. 
701 1 |a Пичугин  |b В. Ф.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1944-  |g Владимир Федорович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20130515 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130516  |g RCR 
942 |c BK