Модифицирование ионной бомбардировкой свойств сильно легированных окисью магния кристаллов LiNbO[3]

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-
№ 10.— 2006.— С. 63-68
Հիմնական հեղինակ: Булычева А. А.
Այլ հեղինակներ: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Ամփոփում:Исследовано влияние примеси Mg на эффективность процесса формирования проводящих слоев в кристаллах ниобата лития под действием ионной бомбардировки. Кристаллы чистого LiNbO[3] и LiNbO[3] с примесью Mg (0-10 мол.%) были облучены ионами Ar{+} с энергией 150 кэВ флюенсом 10{16} ион/см{2} при комнатной температуре. Как следствие облучения, имеет место рост поверхн. проводимости σ[s] более чем на 5-6 порядков. Выявлено, что электропроводность ионно-облученных слоев является прыжковой поляронной, а температурная зависимость проводимости обладает характерной температурой T[0], разделяющей две области: при T>T[0] проводимость носит монополяронный характер; при T<T[0] происходит вымораживание монополяронных состояний, и вклад биполяронов в электроперенос становится доминирующим. Увеличение концентрации примеси Mg до 10 мол.% приводит к изменению спектра оптического поглощения ионно-модифицированных кристаллов LiNbO[3] и появлению полосы оптич. поглощения при 3,7 эВ, связанной с формированием дефекта замещения Mg[Nb]
Հրապարակվել է: 2006
Խորագրեր:
Ձևաչափ: Գրքի գլուխ
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506647