|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
506579 |
| 005 |
20231101103244.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\177495
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\77480
|
| 090 |
|
|
|a 506579
|
| 100 |
|
|
|a 20130515a2004 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Ионный синтез пленок твердого раствора [Ga1-xInxAs]
|f М. В. Ардышев, В. Ф. Пичугин
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика полупроводников и диэлектриков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 5 назв.
|
| 330 |
|
|
|a Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптич. поглощения и конденсаторной фото-э. д. с. исследовано соединение Ga1-xInxAs, полученное имплантацией ионов In (100 кэВ, (0,45-6)×1017см-2) с последующим термическим (800°C, 15 мин) или высокоэнергетическим электронным (1 МэВ, 0,6 мА×см-2, 660°C, 16 с) отжигами. Показано, что с увеличением дозы имплантации x возрастает от 0,07 до 0,21, ширина запрещенной зоны уменьшается от 1,34 до 1,21 эВ. Уменьшается также потенциал поверхности с 0,79 до 0,58 В. Отмечается высокая эффективность электронного отжига
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191
|t Известия вузов. Физика
|f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет
|d 1958-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77468
|t Т. 47, № 2
|v С. 57-59
|d 2004
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a ионная имплантация
|
| 610 |
1 |
|
|a резерфордовское обратное рассеяние
|
| 610 |
1 |
|
|a оптическое поглощение
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 675 |
|
|
|a 621.785.3:669.782
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Ардышев
|b М. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Пичугин
|b В. Ф.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1944-
|g Владимир Федорович
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20040924
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130515
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
