Ионный синтез пленок твердого раствора [Ga1-xInxAs]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- Т. 47, № 2.— 2004.— С. 57-59 |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفون آخرون: | |
| الملخص: | Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптич. поглощения и конденсаторной фото-э. д. с. исследовано соединение Ga1-xInxAs, полученное имплантацией ионов In (100 кэВ, (0,45-6)×1017см-2) с последующим термическим (800°C, 15 мин) или высокоэнергетическим электронным (1 МэВ, 0,6 мА×см-2, 660°C, 16 с) отжигами. Показано, что с увеличением дозы имплантации x возрастает от 0,07 до 0,21, ширина запрещенной зоны уменьшается от 1,34 до 1,21 эВ. Уменьшается также потенциал поверхности с 0,79 до 0,58 В. Отмечается высокая эффективность электронного отжига |
| اللغة: | الروسية |
| منشور في: |
2004
|
| سلاسل: | Физика полупроводников и диэлектриков |
| الموضوعات: | |
| التنسيق: | فصل الكتاب |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506579 |