Удаление микрочастиц вакуумно-дугового разряда в процессе ионной имплантации и осаждения покрытия за счет применения короткоимпульсного высокочастотного потенциала смещения (результаты исследования); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (приложение)
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- Т. 54, № 11/2 (приложение).— 2011.— C. 131-136 |
|---|---|
| Outros autores: | , , , , , |
| Summary: | Представлены эксперим. результаты исследования уменьшения плотности потока микрочастиц вакуумно-дугового разряда в потоке плазмы и на поверхности образца за счет их отражения от потенциального барьера мишени и трансформации размеров, формы микрочастиц, их испарения, отрыва от поверхности при импульсно-периодическом потенциале смещения отрицат. полярности. Установлено, что плотность микрочастиц на поверхности образца определяется амплитудой, длительностью импульса потенциала смещения, временем ионной обработки поверхности образца. Показано, что плотность микрочастиц с размером меньше 1,5 мкм уменьшается в несколько тысяч раз при частоте следования импульсов 10{5} Гц, амплитуде потенциала смещения 2 кВ, длительности импульса 8 мкс и времени облучения 9-18 мин. Общая плотность микрочастиц при этих условиях уменьшается в 67 раз. При времени обработки выше 3 мин наблюдается трансформация формы некоторых мирочастиц из сферической в коническую |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
2011
|
| Subjects: | |
| Formato: | Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506114 |
| Summary: | Представлены эксперим. результаты исследования уменьшения плотности потока микрочастиц вакуумно-дугового разряда в потоке плазмы и на поверхности образца за счет их отражения от потенциального барьера мишени и трансформации размеров, формы микрочастиц, их испарения, отрыва от поверхности при импульсно-периодическом потенциале смещения отрицат. полярности. Установлено, что плотность микрочастиц на поверхности образца определяется амплитудой, длительностью импульса потенциала смещения, временем ионной обработки поверхности образца. Показано, что плотность микрочастиц с размером меньше 1,5 мкм уменьшается в несколько тысяч раз при частоте следования импульсов 10{5} Гц, амплитуде потенциала смещения 2 кВ, длительности импульса 8 мкс и времени облучения 9-18 мин. Общая плотность микрочастиц при этих условиях уменьшается в 67 раз. При времени обработки выше 3 мин наблюдается трансформация формы некоторых мирочастиц из сферической в коническую |
|---|