Удаление микрочастиц вакуумно-дугового разряда в процессе ионной имплантации и осаждения покрытия за счет применения короткоимпульсного высокочастотного потенциала смещения (результаты исследования); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (приложение)

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 54, № 11/2 (приложение).— 2011.— C. 131-136
Beste egile batzuk: Рябчиков А. И. Александр Ильич, Сивин Д. О. Денис Олегович, Степанов И. Б. Игорь Борисович, Ананьин П. С. Петр Семенович, Дектярев С. В. Сергей Валентинович, Шулепов И. А. Иван Анисимович
Gaia:Представлены эксперим. результаты исследования уменьшения плотности потока микрочастиц вакуумно-дугового разряда в потоке плазмы и на поверхности образца за счет их отражения от потенциального барьера мишени и трансформации размеров, формы микрочастиц, их испарения, отрыва от поверхности при импульсно-периодическом потенциале смещения отрицат. полярности. Установлено, что плотность микрочастиц на поверхности образца определяется амплитудой, длительностью импульса потенциала смещения, временем ионной обработки поверхности образца. Показано, что плотность микрочастиц с размером меньше 1,5 мкм уменьшается в несколько тысяч раз при частоте следования импульсов 10{5} Гц, амплитуде потенциала смещения 2 кВ, длительности импульса 8 мкс и времени облучения 9-18 мин. Общая плотность микрочастиц при этих условиях уменьшается в 67 раз. При времени обработки выше 3 мин наблюдается трансформация формы некоторых мирочастиц из сферической в коническую
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2011
Gaiak:
Formatua: Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506114