Удаление микрочастиц вакуумно-дугового разряда в процессе ионной имплантации и осаждения покрытия за счет применения короткоимпульсного высокочастотного потенциала смещения (анализ экспериментальных результатов); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (приложение)

書目詳細資料
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 54, № 11/2 (приложение).— 2011.— C. 137-141
其他作者: Рябчиков А. И. Александр Ильич, Сивин Д. О. Денис Олегович, Степанов И. Б. Игорь Борисович, Ананьин П. С. Петр Семенович, Дектярев С. В. Сергей Валентинович, Шулепов И. А. Иван Анисимович
總結:Рассматривается несколько физич. механизмов, обеспечивающих уменьшение плотности микрочастиц и трансформации их размеров и формы при применении короткоимпульсного ВЧ-потенциала смещения. Эффект отражения в электрич. поле разделения заряда вблизи потенциальной поверхности связан с наиболее низкоэнергитичными микрочастицами за счет накопления на них отрицат. заряда в плазме. Предположительно имеет место отражение микрочастиц, получивших значительный отрицат. заряд уже на потенциальной поверхности. Процессы разогрева микрочастиц, трансформации их размеров и формы определяются электрич. полем на поверхности, приводящим к появлению тока автоэлектронной эмиссии
語言:俄语
出版: 2011
主題:
格式: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506091

相似書籍