Удаление микрочастиц вакуумно-дугового разряда в процессе ионной имплантации и осаждения покрытия за счет применения короткоимпульсного высокочастотного потенциала смещения (анализ экспериментальных результатов); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (приложение)

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 54, № 11/2 (приложение).— 2011.— C. 137-141
Other Authors: Рябчиков А. И. Александр Ильич, Сивин Д. О. Денис Олегович, Степанов И. Б. Игорь Борисович, Ананьин П. С. Петр Семенович, Дектярев С. В. Сергей Валентинович, Шулепов И. А. Иван Анисимович
Summary:Рассматривается несколько физич. механизмов, обеспечивающих уменьшение плотности микрочастиц и трансформации их размеров и формы при применении короткоимпульсного ВЧ-потенциала смещения. Эффект отражения в электрич. поле разделения заряда вблизи потенциальной поверхности связан с наиболее низкоэнергитичными микрочастицами за счет накопления на них отрицат. заряда в плазме. Предположительно имеет место отражение микрочастиц, получивших значительный отрицат. заряд уже на потенциальной поверхности. Процессы разогрева микрочастиц, трансформации их размеров и формы определяются электрич. полем на поверхности, приводящим к появлению тока автоэлектронной эмиссии
Language:Russian
Published: 2011
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506091