Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением; Известия вузов. Физика; Т. 37, № 12

Библиографические подробности
Источник:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 37, № 12.— 1994.— С. 58-67
Другие авторы: Чернов И. П. Иван Петрович, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Черданцев Ю. П. Юрий Петрович, Чахлов Б. В.
Примечания:Изучено воздействие ионизирующего излучения на дефектные полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, рентгеноструктурного анализа, электронной микроскопии, а также калориметрич. методов установлено: а) облучение рентгеновскими лучами, γ-квантами, электронами металлов и сплавов эквивалентной дозой излучения менее 105 Дж/кг, а полупроводниковых кристаллов дозой менее 103 Дж/кг приводит не к дополнительному накоплению дефектов, а, наоборот, к их устранению и переводу кристалла в более равновесное состояние; б) ионизационные процессы играют определяющую роль в перестройке дефектов в кристаллах, обладающих как полупроводниковой, так и металлич. проводимостью. Показано, что перестройка кристалла происходит за счет запасенной энергии в кристалле, которая освобождается в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физич. свойств.
Язык:русский
Опубликовано: 1994
Предметы:
Формат: Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494275

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 494275
005 20250917071652.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\163813 
090 |a 494275 
100 |a 20121225a1994 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением  |f И. П. Чернов [и др.] 
330 |a Изучено воздействие ионизирующего излучения на дефектные полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, рентгеноструктурного анализа, электронной микроскопии, а также калориметрич. методов установлено: а) облучение рентгеновскими лучами, γ-квантами, электронами металлов и сплавов эквивалентной дозой излучения менее 105 Дж/кг, а полупроводниковых кристаллов дозой менее 103 Дж/кг приводит не к дополнительному накоплению дефектов, а, наоборот, к их устранению и переводу кристалла в более равновесное состояние; б) ионизационные процессы играют определяющую роль в перестройке дефектов в кристаллах, обладающих как полупроводниковой, так и металлич. проводимостью. Показано, что перестройка кристалла происходит за счет запасенной энергии в кристалле, которая освобождается в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физич. свойств. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77119  |t Т. 37, № 12  |v С. 58-67  |d 1994 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Чернов  |b И. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1935-2025  |g Иван Петрович  |x TPU  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\12909  |9 3694 
701 1 |a Мамонтов  |b А. П.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета  |c Заслуженный изобретатель РФ  |f 1934-  |g Аркадий Павлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984 
701 1 |a Черданцев  |b Ю. П.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1954-  |g Юрий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27875 
701 1 |a Чахлов  |b Б. В. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20121225 
942 |c BK