Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- Т. 37, № 12.— 1994.— С. 58-67 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Изучено воздействие ионизирующего излучения на дефектные полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, рентгеноструктурного анализа, электронной микроскопии, а также калориметрич. методов установлено: а) облучение рентгеновскими лучами, γ-квантами, электронами металлов и сплавов эквивалентной дозой излучения менее 105 Дж/кг, а полупроводниковых кристаллов дозой менее 103 Дж/кг приводит не к дополнительному накоплению дефектов, а, наоборот, к их устранению и переводу кристалла в более равновесное состояние; б) ионизационные процессы играют определяющую роль в перестройке дефектов в кристаллах, обладающих как полупроводниковой, так и металлич. проводимостью. Показано, что перестройка кристалла происходит за счет запасенной энергии в кристалле, которая освобождается в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физич. свойств. |
| Published: |
1994
|
| Subjects: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494275 |