Исследование воздействия малых доз γ-квантов на структуры GaAs+SiO2 методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов; Известия вузов. Физика; т. 28, № 10

Исследование воздействия малых доз γ-квантов на структуры GaAs+SiO2 методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- т. 28, № 10.— 1985.— С. 123
Outros autores:	Боярко Е. Ю., Кощеев В. П., Тимошников Ю. А., Чернов И. П. Иван Петрович
Idioma:	ruso
Publicado:	1985
Subjects:	труды учёных ТПУ
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494049

Títulos similares

Анализ природных алмазов методом резерфордовского обратного рассеяния; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 8
Publicado: (2019)

Виртуальная лабораторная работа "Определение элементного состава образца методом резерфордовского обратного рассеяния"; Современный физический практикум
Publicado: (2002)

Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов; Письма в Журнал технической физики; Т. 22, вып. 1
Publicado: (1996)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Publicado: (1976)

Расчёт угловой зависимости вероятности рассеяния γ-квантов в углероде методом Монте-Карло; Неразрушающий контроль
por: Наманжуев Э. Д.
Publicado: (2011)

Эффект малых доз ионизирующего излучения
por: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Publicado: (Москва, Энергоатомиздат, 2001)

Эффект малых доз ионизирующего излучения
por: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Publicado: (Томск, Дельтаплан, 2009)

Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices; Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures; Vol. 103
por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado: (2018)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
por: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
por: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publicado: (2015)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
por: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicado: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
por: Пешев В. В.
Publicado: (2004)

Формирование DX-центров в планерно-легированном GaAs : Si в сильных электрических полях; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
por: Аше М.
Publicado: (2004)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
Publicado: (2011)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2010)

Анализ эффектов действия малых доз ионизирующего излучения; Медицинская техника; № 2
Publicado: (2002)

Численная модель для оценки аномального обратного рассеяния; Молодежь и современные информационные технологии; Т. 1
por: Лоскутов В. В. Виталий Валерьевич
Publicado: (2014)

γ-Bi2O3 - To Be or Not To Be? Comparison of the Sillenite γ-Bi2O3 and Isomorphous Sillenite-Type Bi12SiO20; Inorganic Chemistry; Vol. 57, iss. 14
Publicado: (2018)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
por: Peshev V. V.
Publicado: (2007)

Излучение каналированных частиц в кристаллах
por: Кумахов М. А. Мурадин Абубекирович
Publicado: (Москва, Энергоатомиздат, 1986)

Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
por: Зайцев Н. А. Николай Алексеевич
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1993)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
por: Арефьев К. П. Константин Петрович
Publicado: (1983)

Электроника слоев SiO 2 на кремнии
por: Барабан А. П. Александр Петрович
Publicado: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)

Форстерит 2MgO-SiO2
por: Хорошавин Л. Б. Лев Борисович
Publicado: (Москва, Теплотехник, 2004)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
por: Тяжлов В. С.
Publicado: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
por: Тихов С. В.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
por: Дорохин М. В.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicado: (2004)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Влияние облучения малыми дозами γ-квантов на структуру металлических сплавов на основе железа
Publicado: (Томск, 1986)

Получение пучка γ-квантов тормозного излучения регулируемой длительности с помощью внутренней мишени накопителя
Publicado: (Харьков, [Б. и.], 1971)

Строение и свойства структур Si-Sio2-M
por: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1981)

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
por: Демарина Н. В.
Publicado: (2002)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
Publicado: (1979)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 8/2 (приложение)
Publicado: (2009)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Publicado: (1977)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
Publicado: (1998)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2009)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Publicado: (2004)