Исследование воздействия малых доз γ-квантов на структуры GaAs+SiO2 методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов; Известия вузов. Физика; т. 28, № 10

Исследование воздействия малых доз γ-квантов на структуры GaAs+SiO2 методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов; Известия вузов. Физика; т. 28, № 10

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- т. 28, № 10.— 1985.— С. 123
Other Authors:	Боярко Е. Ю., Кощеев В. П., Тимошников Ю. А., Чернов И. П. Иван Петрович
Language:	Russian
Published:	1985
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494049

Similar Items

Анализ природных алмазов методом резерфордовского обратного рассеяния; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 8
Published: (2019)

Виртуальная лабораторная работа "Определение элементного состава образца методом резерфордовского обратного рассеяния"; Современный физический практикум
Published: (2002)

Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния ионов; Письма в Журнал технической физики; Т. 22, вып. 1
Published: (1996)

Расчёт угловой зависимости вероятности рассеяния γ-квантов в углероде методом Монте-Карло; Неразрушающий контроль
by: Наманжуев Э. Д.
Published: (2011)

Эффект малых доз ионизирующего излучения
by: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Published: (Томск, Дельтаплан, 2009)

Эффект малых доз ионизирующего излучения
by: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Published: (Москва, Энергоатомиздат, 2001)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
by: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Published: (1976)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
by: Байдусь Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)

Излучение каналированных частиц в кристаллах
by: Кумахов М. А. Мурадин Абубекирович
Published: (Москва, Энергоатомиздат, 1986)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Effects of size quantization in the spectra and Γ − M transitions in (GaAs)m(AlAs)n(001) superlattices; Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures; Vol. 103
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2018)

Получение пучка γ-квантов тормозного излучения регулируемой длительности с помощью внутренней мишени накопителя
Published: (Харьков, [Б. и.], 1971)

Влияние облучения малыми дозами γ-квантов на структуру металлических сплавов на основе железа
Published: (Томск, 1986)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
by: Тяжлов В. С.
Published: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
by: Тихов С. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
by: Зайцев Н. А. Николай Алексеевич
Published: (Москва, Радио и связь, 1993)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
by: Дорохин М. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Анализ эффектов действия малых доз ионизирующего излучения; Медицинская техника; № 2
Published: (2002)

Форстерит 2MgO-SiO2
by: Хорошавин Л. Б. Лев Борисович
Published: (Москва, Теплотехник, 2004)

Электроника слоев SiO 2 на кремнии
by: Барабан А. П. Александр Петрович
Published: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)

γ-Bi2O3 - To Be or Not To Be? Comparison of the Sillenite γ-Bi2O3 and Isomorphous Sillenite-Type Bi12SiO20; Inorganic Chemistry; Vol. 57, iss. 14
Published: (2018)

Строение и свойства структур Si-Sio2-M
by: Вертопрахов В. Н. Владимир Никифорович
Published: (Новосибирск, Наука, 1981)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Published: (2004)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Published: (2004)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
by: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Published: (2012)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Формирование DX-центров в планерно-легированном GaAs : Si в сильных электрических полях; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
by: Аше М.
Published: (2004)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
by: Байдусь Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
by: Крылов П.Н.
Published: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Численная модель для оценки аномального обратного рассеяния; Молодежь и современные информационные технологии; Т. 1
by: Лоскутов В. В. Виталий Валерьевич
Published: (2014)

Получение поляризованных γ-квантов с помощью рассеяния световых фотонов на электронах. ускоренных на синхротроне "Сириус"; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 206 : Ускорители заряженных частиц и реакторы
Published: (1973)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1983)

Влияние многократного рассеяния на движение каналированных частиц: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.16
by: Кощеев В. П. Владимир Петрович
Published: (Томск, 1983)

Влияние многократного рассеяния на движение каналированных частиц: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.16
by: Кощеев В. П. Владимир Петрович
Published: (Томск, 1984)