Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия

Bibliographic Details
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 16, вып. 12.— 1982.— С. 2126-2128
Main Author:	Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Other Authors:	Пешев В. В., Чернов И. П. Иван Петрович
Summary:	Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме
Language:	Russian
Published:	1982
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494042

Similar Items

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 2
Published: (1984)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2005)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
by: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Published: (1983)

Определение висмута в арсениде галлия; Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ; № 4
by: Глуховская Р. Д.
Published: (1964)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Давлетшин А. Э.
Published: (2011)

Термический отжиг радиационных дефектов в сильно облученном монокристалле хлористого натрия; Тезисы докладов четвертой Всесоюзной Межвузовской конференции по вопросам сегнетоэлектричества и физики неорганических диэлектриков
Published: (1966)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
Published: (1988)

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9
Published: (1978)

Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 29, № 3
Published: (1987)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2008)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)

Термический отжиг радиационных микродефектов в KCl-Ag; Спектры и динамика элементарных возбуждений в кристаллах
by: Заитов Ф. Н.
Published: (1981)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами; Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделия; № 2-3
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Метод радиационных дефектов: методические рекомендации
Published: (Москва, [Б. и.], 1982)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
by: Карпель Н. Г.
Published: (Москва, [Б. и.], 1964)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Published: (Москва, Радио и связь, 1988)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
by: Черняев А. В. Александр Владимирович
Published: (Москва, Радио и связь, 1990)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)

Определение сурьмы в арсениде галлия методом амальгамной полярографии; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 164 : Исследования в области амальгамной полярографии с накоплением
by: Захарова Э. А. Эльза Арминовна
Published: (1967)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
by: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1988)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)

Термический отжиг радиационных нарушений в нитратах щелочных металлов; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 176 : Химические реакции с участием твердых веществ
by: Захаров Ю. А. Юрий Александрович
Published: (1970)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
by: Прокопьев Д. Г.
Published: (2011)

Влияние дефектов на пробой твердых диэлектриков при длительном воздействии импульсного электрического поля; Энергетика: Экология, надежность, безопасность
by: Важов В. Ф. Владислав Фёдорович
Published: (1998)

Вакуумный отжиг титановых конструкций
Published: (Москва, Машиностроение, 1991)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Published: (Москва, Наука, 1982)

Уравнения кинетики радиационных дефектов; VI Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
by: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Published: (2015)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
by: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Published: (Томск, [Б. и.], 2004)

Определение некоторых микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением; Всесоюзная конференция по получению и анализу элементов особой чистоты
by: Катаев Г. А. Григорий Алексеевич
Published: (1963)

Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах
by: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Published: (Москва, Энергоиздат, 1982)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
by: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Published: (Томск, [Б. и.], 2004)

Исследования по определению микроколичества олова и свинца в арсениде галлия; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 275 : Неорганическая химия и химическая технология
by: Каплин А. А. Анатолий Александрович
Published: (1976)

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия; Химия и химическая технология; Вып. 1
by: Мамонтова И. П.
Published: (1973)

Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
by: Кравченко Н. С.
Published: (Томск, 1970)

Влияние электрического поля атома на бета-распад
by: Джелепов Б. С.
Published: (Москва, Изд-во АН СССР, 1956)