Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12

Manylion Llyfryddiaeth
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 16, вып. 12.— 1982.— С. 2126-2128
Prif Awdur:	Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Awduron Eraill:	Пешев В. В., Чернов И. П. Иван Петрович
Crynodeb:	Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме
Iaith:	Rwseg
Cyhoeddwyd:	1982
Pynciau:	труды учёных ТПУ
Fformat:	Pennod Llyfr
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494042

Eitemau Tebyg

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 2
Cyhoeddwyd: (1984)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2005)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2005)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
gan: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Cyhoeddwyd: (1983)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
gan: Пешев В. В.
Cyhoeddwyd: (2004)

Создание и накопление радиационных дефектов в монокристаллах оксида магния
gan: Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергоатомиздат, 1999)

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9
Cyhoeddwyd: (1978)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
gan: Черняев А. В. Александр Владимирович
Cyhoeddwyd: (Москва, Радио и связь, 1990)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
gan: Карпель Н. Г.
Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1964)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
gan: Сараева В. Е.
Cyhoeddwyd: (1989)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (2008)

Определение висмута в арсениде галлия; Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ; № 4
gan: Глуховская Р. Д.
Cyhoeddwyd: (1964)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Радио и связь, 1988)

Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 29, № 3
Cyhoeddwyd: (1987)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2004)

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
Cyhoeddwyd: (1988)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами; Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделия; № 2-3
gan: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2002)

Отжиг полупроводников низкоэнергетичными импульсными электронными пучками; Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии
gan: Лебедева Н. И.
Cyhoeddwyd: (1983)

Вакуумный отжиг титановых конструкций
Cyhoeddwyd: (Москва, Машиностроение, 1991)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Cyhoeddwyd: (Москва, Наука, 1982)

Метод радиационных дефектов: методические рекомендации
Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1982)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
gan: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Cyhoeddwyd: (Киев, Наукова думка, 1988)

Влияние дефектов на пробой твердых диэлектриков при длительном воздействии импульсного электрического поля; Энергетика: Экология, надежность, безопасность
gan: Важов В. Ф. Владислав Фёдорович
Cyhoeddwyd: (1998)

Термический отжиг радиационных дефектов в сильно облученном монокристалле хлористого натрия; Тезисы докладов четвертой Всесоюзной Межвузовской конференции по вопросам сегнетоэлектричества и физики неорганических диэлектриков
Cyhoeddwyd: (1966)

Методы исследования дефектов структуры полупроводников: учебное пособие
gan: Елисеев А. А. Аркадий Александрович
Cyhoeddwyd: (Москва, [Б. и.], 1983)

Создание и отжиг дефектов в кристаллах KI и KI-Na, облученных рентгеновскими лучами; Радиационное создание дефектов в твердых телах
gan: Акилбеков А. Т.
Cyhoeddwyd: (1985)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
gan: Максимова Н. К.
Cyhoeddwyd: (Томск, 1972)

Термический отжиг радиационных микродефектов в KCl-Ag; Спектры и динамика элементарных возбуждений в кристаллах
gan: Заитов Ф. Н.
Cyhoeddwyd: (1981)

Влияние электрического поля атома на бета-распад
gan: Джелепов Б. С.
Cyhoeddwyd: (Москва, Изд-во АН СССР, 1956)

Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Давлетшин А. Э.
Cyhoeddwyd: (2011)

Отжиг спаев стекла с металлом
gan: Мазурин О. В. Олег Всеволодович
Cyhoeddwyd: (Ленинград, Энергия, 1980)

Восстановительно-обезуглероживающий отжиг металлических порошков
gan: Бондаренко Б. И. Борис Иванович
Cyhoeddwyd: (Киев, Наукова думка, 1991)

Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах
gan: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергоиздат, 1982)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия; Химия и химическая технология; Вып. 1
gan: Мамонтова И. П.
Cyhoeddwyd: (1973)

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2
gan: Пешев В. В.
Cyhoeddwyd: (2002)

Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора: Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
gan: Кравченко Н. С.
Cyhoeddwyd: (Томск, 1970)

Накопление дефектов в титане при электролитическом насыщении водородом; Водородная обработка материалов
Cyhoeddwyd: (2001)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
gan: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Cyhoeddwyd: (2016)