Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12
| Parent link: | Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 16, вып. 12.— 1982.— С. 2126-2128 |
|---|---|
| Päätekijä: | |
| Muut tekijät: | , |
| Yhteenveto: | Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме |
| Kieli: | venäjä |
| Julkaistu: |
1982
|
| Aiheet: | |
| Aineistotyyppi: | Kirjan osa |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494042 |