|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494042 |
| 005 |
20250917071652.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163545
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\163544
|
| 090 |
|
|
|a 494042
|
| 100 |
|
|
|a 20121221a1982 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 5 назв.
|
| 330 |
|
|
|a Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась температурная зависимость накопления центров Е3 в области пространственного заряда (ОПЗ) и в нейтральном объеме арсенида галлия при облучении γ-квантами источника 60Co. Показано, что эти зависимости для ОПЗ существенно отличаются от аналогичных в нейтральном объеме
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\403
|t Физика и техника полупроводников
|f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
|d 1968-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\156179
|t Т. 16, вып. 12
|v С. 2126-2128
|d 1982
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Мамонтов
|b А. П.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета
|c Заслуженный изобретатель РФ
|f 1934-
|g Аркадий Павлович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984
|
| 701 |
|
1 |
|a Пешев
|b В. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Чернов
|b И. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1935-2025
|g Иван Петрович
|x TPU
|y Томск
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\12909
|9 3694
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121221
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121221
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
